非主流图片论坛 » PS 专区 » PS 教程 » 用PS给迈克.杰克逊的CD做封面

lengyaowen 发表于 2008-1-19 10:16

用PS给迈克.杰克逊的CD做封面

效果：
A9v1~#|x [img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081526622.jpg[/img] X`'g(`|-KP3W
制作工具：Photoshop CS  
P:C"\*P m/A9L K
}9H*Pg$_9{5q4{
　　制作过程：  
B+pM P uo,O+L
!]!S2tp(wrF 　　1、新建一个宽度为500像素，高度为500像素，分辨率为72的图像文件。  
~/Z] [/a!n q0dj8WH B:i
　　2、新建一个图层“图层1”。使用工具箱中的“椭圆选框工具”建立一个正圆形选区，并填充颜色，取消选区，效果如图01所示。  fef_&Jn#jK7X
[img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081527344.jpg[/img]
]#["GS(a1bk{ ~&D
u{c-Vgk Ec%U*r       3、在背景图层上新建一个图层“图层2”，载入图层1的选区后，选择菜单栏中的“选择”“修改”“扩展”，对选区扩展5个像素。然后使用渐变工具对选区从左到右进行线性渐变填充，设置颜色如图02所示，制作光盘的反光效果如图03所示。 :c@/K$Uw@
[img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081527582.jpg[/img]"~ cT PI_!V
[img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081527379.gif[/img] .~o`&Uwg8t
　4、双击图层2，在弹出的图层样式对话框中选择“投影”为光盘添加投影，效果如图04所示。   nvF-A]~~e+]
[img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081528186.jpg[/img]#NvV2I#Cx#qQ w
/G9~/r#P j f9]h'O1~
　5、新建一个图层“图层3”，使用工具箱中的“椭圆选框工具”建立一个正圆选区，并填充白色，准备制作光盘的盘心镂空效果，效果如图05所示。  m;dxl(Z;o3~A
[img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081528910.jpg[/img]
rO0kd4j9bX!C6Um 　6、新建一个图层“图层4”，使用工具箱中的“椭圆选框工具”建立一个正圆选区，并填充颜色，然后选择菜单栏中的“选择”“修改”“收缩”，将选区收缩3个像素，按Delete键，删掉多余的图像后取消选区，后面制作光盘的透明效果，效果如图06所示。Dn-HZ:meXvc
[img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081528592.jpg[/img]dP;~gM,Lt
    7、接下来为光盘加入图像，打开两幅人物图片如图07和08所示。
Dzwy^H2`4q [img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081529464.jpg[/img]
3ZDUK6v [img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081529489.jpg[/img]RbH`&Hm G
　8、使用工具箱中的“魔棒工具”，选取背景，反选后将人物图像复制到文件中，并适当调整图像的大小和角度。使用工具箱中的“磁性套索工具”，将另一幅图片中的人物的头像一部分建立选区，拖拽到文件中，调整图像的大小和角度，效果如图09所示。
Pw"ejhL!Qdp [img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081530184.jpg[/img]  1q7XrV8c)A
  9、按Ctrl键，单击图层1，载入选区，然后反选选区，按Delete将人物的多余部分删除，效果如图10所示。
Lk Z3[t-{$\q` [img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081530291.jpg[/img]  
n/|8z+@-{
10、分别将人物图层执行“滤镜”“像素化”“彩块化”命令，可重复按下多次“Ctrl+F”，得到如图11所示的效果。  EIMN1z:e
[img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081531634.jpg[/img]
?'^4e({1K6\X
\"O|DCt#uX x 11、接下来调整人物图像的颜色的饱和度，设置分别为色相15，饱和度为-30和色相-6，饱和度-30，效果如图12所示。  
VcVxjz(W [img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081532292.jpg[/img]$^Ntl \6T\~b

!_/[3vU,@I 12、按Ctrl键，单击图层4，载入选区，然后反选选区，将除图层2以外的选区的部分分别删除，效果如图13所示。 0V%ce5o8U O,s
[img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081532668.jpg[/img]S,h} ZcI3Y:O[
　13、为光盘添加装饰效果。使用椭圆选框工具建立许多正圆选区，并填充颜色，然后在进行描边，效果如图14所示。  
\3T6{BIq#\+R a [img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081533357.jpg[/img]f$yU%y-drXO
　14、选择工具箱中的“文字工具”输入文字，并适当调整文字的位置，效果如图15所示。  
0q8^^_$qf5F P [img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081533596.jpg[/img]
GdZs e -yOV'IUl3x;n Q5^
15、按Ctrl键，单击图层3，载入选区，并将选区内所有画面删除，然后选择菜单栏中的“选择”“修改”“扩展”，对选区扩展2个像素，将除图层2以外的选区的部分分别删除，CD光盘的最终效果如图16所示。  )Pm*Cd;C1d/_'v
[img]http://www.52photoshop.cn/yeditor/uploadfile/20070910081534852.jpg[/img]

wy624189384 发表于 2008-5-27 18:34

ww

wwwwwww

梅汶荇 发表于 2008-10-29 14:36

单晶硅专利技术光盘：www.99pat.com

单晶硅专利技术光盘5BC-izUXF
单晶硅专利技术光盘包含了从1985到2008年的所有单晶硅专利技术 ，以下所有专利技术均包N,t Y!o
p
含在一张光盘中，每项专利技术资料均为国家专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、质量标准、专利
\y7w)N:I%p%q,? 发明人、权利要求书、说明书附图等。可以直接在线发送也可以通过光盘等邮寄，免收邮资！本站郑重承v'h~[G%e$~ vY
诺，货真价优；假一赔十，量大从优！
,B rT%A{'V{ 1   CN01805741.1    单晶硅晶片及单晶硅的制造方法
l7x(GF!QY*U*{0pJ 2   CN01136561.7    直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置
3~UsZk+S3w&W nRm 3   CN01136694.X    一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置
Mf,O8w'J2Lu 4   CN01136769.5    一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器B*_IB H;QG@{t~j G
5   CN01134359.1    直拉硅单晶炉热屏方法及热屏蔽器 _JC2K4O
6   CN01139098.0    一种微量掺锗直拉硅单晶
2m/MX j$rA fA 7   CN02151126.8    多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
|R0BMj4Z6RMh 8   CN02151127.6    一种生长硅单晶的方法 v'ia9MU0ge!f1k&z~
9   CN02151128.4    氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法bD+m$j;D&VA
10   CN02122817.5    单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备
H#aA2W/DA;S,s 11   CN02157530.4    制造硅单晶所用的晶种及制造硅单晶的方法rfQ5B!Z.b?'H
12   CN01806781.6    绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法
%@pj!k6OZp 13   CN03107427.8    绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法
0^S-q][ 14   CN03105415.3    制造高掺杂硅单晶的方法
'V1qDwV,Q9T 15   CN02111781.0    分离单晶硅埚底料中石英的工艺
a4xb
j U4mqO 16   CN03112137.3    单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法
J+Uq[]l 17   CN02159135.0    气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
2E5f2T}?p+gxef 18   CN03109067.2    气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法9qp*^*_V
19   CN02802101.0    直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法
;|\"fo&VA
M 20   CN98100136.X    硅单晶的制造方法及其使用的晶种*h~ g g+uVd-K
21   CN98112814.9    用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体|Ta4n"`nl#au
22   CN99100967.3    制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置hqB'hrh'^5Qv
23   CN98100416.4    通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
'S
{BH%@Xf WY 24   CN98118815.X    具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件 d;kF4EkV8]
25   CN98116827.2    单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜类P－N结及其制作方法
|%JJ`J 26   CN98121350.2    单晶硅片抗机械力的提高
l-PcV_T-h4L R!p 27   CN98807859.7    生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法
c(@/M4Fs4yo*\ @;m%p 28   CN00105518.6    生产硅单晶的直拉区熔法m)`4{EIX8LZ.KE&r
29   CN98808456.2    控制硅单晶生长的方法与系统

HQ1IF?C\+_ 30   CN98807993.3    用于单晶硅生长的非Dash缩颈法j v2OX:R k
31   CN99801049.9    形成单晶硅层的方法和制造半导体器件的方法
.zdQl%J3HJn7o!Hk 32   CN99117832.7    去除硅单晶中重金属杂质的方法2`*R8d(Il
33   CN99812088.X    热退火后的低缺陷密度单晶硅z L `L_
34   CN99811709.9    从低缺陷密度的单晶硅上制备硅－绝缘体结构Q;KO@*N:p)Za/p
35   CN99815584.5    高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
xF,h"R P K d4VX7S$w 36   CN00122075.6    直拉硅单晶生长的重掺杂方法j1b'r]+Dq;O!_2N
37   CN99811961.X    氮化铝、碳化硅及氮化铝∶碳化硅合金块状单晶的制备方法f3]|4F2H Q;D![;k1Gt
38   CN01131737.X    标定单晶硅晶圆晶向的方法
,m{$A Dj$H 39   CN01800727.9    硅片及硅单晶的制造方法I(GZ"}XZ9j8E
40   CN01105256.2    块状碳化硅单晶生长的制备方法 T@$Oo7q_%K
41   CN00812335.7    制备具有均匀热过程的单晶硅的方法X(NN!zO z
42   CN02111221.5    单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法
\E)? wtJV1kg^ 43   CN00815428.7    低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
8k*fV?3L EuB 44   CN200710133581.6    单晶硅高效复合切割方法及其切割系统
G7Om `^P#^ 45   CN200710133407.1    硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法
,|I/@CX"Vt u 46   CN200710058315.1    直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置
7wu'H2_#jP 47   CN200710047776.9    新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池;{i$Q:mncI4qTL,g
48   CN200710180002.3    过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻c1Pn8U!Ogv3mP
49   CN200580049409.1    硅单晶的培育方法、以及硅晶片和使用该硅晶片的SOI衬底
k}:Ire 50   CN200580049416.1    硅单晶的制造方法和硅晶片3Eh3~8oQ)C&r9d
51   CN200610113979.9    一种直拉硅单晶炉的熔硅液面位置的控制方法
lH:a e8F 52   CN200710148262.2    硅单晶的制造方法及硅片的制造方法
i!D2AK!W}5f 53   CN200610114123.3    一种改进的生长掺杂硅单晶体的方法及其装置}+KE'f d
54   CN200710185125.6    单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池q"~^G\*t_ [b
55   CN200710185126.0    单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
8N@2ti:}TA 56   CN200710185123.7    单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池;Sa7ipqp-j}2c
57   CN200710185124.1    单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池Yz^F J1B%Y#HmE0O
58   CN200580049778.0    硅单晶的培育方法和采用该方法培育的硅单晶 j+@Q$kzj(]&`P
59   CN200710157175.3    超声波清洗单晶硅片方法及其装置
:C.}1Bye 60   CN200710151631.3    使用金属污染及热处理识别单晶硅中的晶体缺陷区的方法'XTmo0o{$@
61   CN200610162854.5    可反射出色域的电极结构以及单晶硅面板与显示装置
L(H
b1qgo#rA 62   CN200580050122.0    硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法
6^y.G2xi |5~ ap 63   CN200580050178.6    单晶硅的生长方法o0p2X5F]Lx u;A `
64   CN200680022260.2    制备碳化硅单晶的方法
*{~:D6hq 65   CN200710018889.6    单晶硅薄膜及其组件的制备方法n3_emks0F"s
66   CN200580051163.1    硅单晶提拉装置及其方法
#v,D*a5YUEW7o 67   CN200710192803.1    单晶硅棒制造方法和单晶硅棒结构xX5~-`"S(zS2X7a
68   CN200710063644.5    提高单晶硅太阳能电池减反射膜质量的方法tQ hR \-Wk
69   CN200810060274.4    改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的方法及其装置
9i+\_,ez:E]H"W.dhp 70   CN02281654.2    一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器}!N;U0T/FVWb;N
71   CN00224737.2    单晶硅衬底双面抛光片
0U$\-|/_m&N 72   CN00225900.1    单晶硅炉传动轴用磁性流体密封装置
&Tbe-N*U#n 73   CN01265431.0    低氧碳单晶硅复投料自卸机构
BK~~\$X0RGqB.S5} 74   CN200720096818.3    直拉法生长掺镓硅单晶的装置Pk1XD;t
75   CN200720169560.5    一种用于直拉硅单晶炉热场的主发热体
NXvVL1m;~d"KVMu:k 76   CN200720039053.X    一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽
]#Gr2A/u#^ 77   CN200720173441.7    直拉硅单晶制备用坩埚 ZYs3T)};u9Il
78   CN200720173483.0    一种直拉硅单晶制备用坩埚
:~
O*R5@a 79   CN200720192576.8    超声波清洗单晶硅片装置
@
SBOn5~$y 80   CN03153378.7    基于区熔硅单晶的双极光晶体管及其探测方法y F3Sq SH ~T'K`
81   CN200410053438.2    掺铈焦硅酸镥高温闪烁单晶体的制备方法k|@#m[E
82   CN02821597.4    高电阻率碳化硅单晶体及制造方法
~#s C D(BOn 83   CN200410053863.1    生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法
Kh(VMlQ m&j 84   CN03126463.8    一种生长直拉硅单晶的重掺杂方法及掺杂装置;]h&oa+{Ne
85   CN200410064692.2    太阳能级硅单晶生产工艺方法
g2[K2N*u4j-q!V 86   CN200410092027.4    一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻5D6Sb |D2T-O7P,u
87   CN200310116749.4    一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
n0{%Gx/IX 88   CN200310112908.3    一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法wQ;T0^Wh
89   CN200410096670.4    具有均匀空位缺陷的单晶硅锭和晶片及其制备方法和设备5uy4zC_ m7n'e#KY~
90   CN03808958.0    单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
[9m8?{~8o|.W 91   CN02826170.4    用单晶片低压CVD淀积氧化硅和氮氧化物的方法
p.n;l-ysg 92   CN03810538.1    单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法
]%O4uA1g@-@Yg+D 93   CN200510023460.7    单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
8i7Y De E@$@ 94   CN200510023461.1    单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
q8G d3|%NC2tQJ 95   CN03818379.X    提拉单晶硅用石英玻璃坩埚和制造该坩埚的方法
x9oS^0o 96   CN200510062693.8    涂覆有金属电镀层的单晶硅基片和垂直磁记录介质
M$iDrL"kLh 97   CN200510059736.7    直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法以及使用该掺杂剂的单晶硅的制造方法|B5T-r~dk2E]
98   CN03159798.X    单晶硅及SOI基板、半导体装置及其制造方法、显示装置
~+pwy(F8w k 99   CN03132132.1    平板单晶硅表面的改性方法'sQc3Z2s%o2n
100   CN01821381.2    用于制备低铁污染单晶硅的装置和方法
AUU5CuIW 101   CN01819895.3    用于控制空位为主的单晶硅热过程的方法
)U$C _W/~(Mk1r 102   CN02131185.4    一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
:J5K.JI0y^*?+I 103   CN02131184.6    直拉法硅单晶生长用硅籽晶及其加工方法
&Uu)V)t0y` 104   CN02804207.7    用于制备具有改善的栅氧化层完整性的单晶硅的方法
:I.zbK'i 105   CN200310104772.1    制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法
o b+Mr2E+@ R 106   CN200310123311.9    硅单晶及其制造方法;uZ*e7K3lmf-NPD
107   CN02155236.3    单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法6N;j-CpG @c8U.d
108   CN200310123043.0    硅片和生产单晶硅的方法
}OA"Ui{"PTI 109   CN02810080.8    电阻加热式单晶片腔室中的掺杂的硅沉积工艺:r5xhDSXr
110   CN03150806.5    一种具有晶格补偿的重掺硼硅单晶衬底
N#l
G)us-s5z ? 111   CN03115479.4    检测N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法)b[y*R,JtR~g
112   CN200310108003.9    一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法3hf _ nok-i
113   CN200410031425.5    硅单晶的生产方法及装置、硅单晶和硅半导体晶片_Nx+BK
114   CN200410001382.6    单晶硅膜的制造方法
%v3mm#i
] 115   CN200310108926.4    单晶硅基片表面自组装稀土纳米膜的制备方法
)B6eyw4N$O{ 116   CN200310108771.4    硅酸钆单晶体的生长方法pH-n\!R?n ?
117   CN200310113523.9    物理气相传输生长碳化硅单晶的方法及其装置
?#xB\6_ O"rb3y 118   CN200310124860.8    通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
"P*J}9s6r6L)E 119   CN200310117761.7    用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗Ct%K3X&BDzg0zX.[
120   CN200310117760.2    用于八英寸重掺砷直拉硅单晶制造的上部热场 P^!JSAq)x
121   CN200310117762.1    用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的上部热场c D6GP@}0F#M1d
122   CN200610049528.3    半导体器件与集成电路硅单晶废弃片的回收利用方法-T~
q"l7I _M`H
123   CN200510112207.9    单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法
6Y&CR*d)]?9\8Zj*V 124   CN200510023563.3    直拉硅单晶中低氧控制方法
Lr
`(C%|| 125   CN200610004057.4    一种生产硅铁、硅钙和单晶硅的原料的加工方法]j'~)CC6hz"m5T+O
126   CN200510068987.1    单晶硅液晶显示面板的驱动系统与方法w-f_6?k;p
127   CN200510011753.3    单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法
}a4irs?!t/b 128   CN200410018223.7    一种拉制硅单晶工艺方法ho_P"C
Gd
129   CN200410042603.4    单晶硅微机械加工的电容式麦克风及其制造方法x8vM;D5r_d g
130   CN200510050335.5    用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法OX{N5Q%\
131   CN200510013851.0    大直径区熔硅单晶制备方法
8wE;uJ`
uzwE 132   CN200510027350.8    单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法
,^
cQ"qKjr4\;z 133   CN200510027349.5    单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
T
Xa[5D;Dm^;Y 134   CN200510098526.9    纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法
&I!NPp l'nP1PJ9XP0T 135   CN200380108637.2    利用坩埚旋转以控制温度梯度的制备单晶硅的方法]2a"_U/w9Q&EG
136   CN200510027077.9    一种单晶氧化硅纳米线的合成方法XoA`;o
137   CN200410066298.2    半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法
6J.P~#J6D'}[;k 138   CN200510014891.7    液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法4N)_D)RW
139   CN200510015279.1    磁场直拉硅单晶的制备方法
7|*Du'F6Q6V 140   CN200510015280.4    区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法 N']O0|e
141   CN200410088423.X    一种在硅基底上生长单晶铁纳米线的方法!jB)ml9ww)nf
142   CN200410088609.5    一种单晶硅抛光片热处理工艺
0B/e+{:H9}PO)u[ 143   CN200480011173.8    硅晶片及其制造方法、以及硅单晶生长方法
1\3~E6A$I1j 144   CN200510123870.9    硅单晶的生长方法、生长装置及由其制造的硅片
/H0K;Z&SP7\5LA 145   CN200610006496.9    制造具有受控制的碳含量的硅单晶的方法9?FQ.e;M$c ~%E!pZ)P!x
146   CN200610024981.9    单晶硅片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
|XbM:{s E"v0a
147   CN200610024980.4    单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
S1Q*R\f] 148   CN200610026855.7    单晶硅片表面自洁性二氧化钛纳米薄膜的制备方法]L+j*dk@f FAT
149   CN200610010099.9    对称结构双级解耦单晶硅微机械陀螺仪
H|A3L0]2f8V 150   CN200610014297.2    硅单晶衬底材料抛光液及其制备方法I6nH n,zG%q/VH"\~?
151   CN200480024893.8    制备碳化硅单晶的方法
J2lT }_ i 152   CN200610014304.9    硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法 jQ*H&s Bv
153   CN200610013498.0    大直径区熔硅单晶生产方法 o!f#O4j7c2d
154   CN200610013533.9    气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法

T~,V |)NB 155   CN200610013534.3    区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法
/QJW(d!z a{!R 156   CN200610013497.6    气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
fT9AbkU 157   CN200610013477.9    区熔硅单晶炉电气控制系统PnKMg
k#V
158   CN200610054245.8    p型单晶硅片的表面处理方法5mft7Nw8w%{xhv
159   CN200610054246.2    n型单晶硅片的表面处理方法9_ t5?5D]o!iL3i
160   CN200510010744.2    光学玻璃和硅单晶非球面光学元件的加工方法
.KG5wE0g2X,P"~ d2i N 161   CN200610014303.4    硅单晶片器件制备区域表面完美性的控制方法c(p!\i'dt*v8{
162   CN200610081294.0    一种碳化硅单晶生长后的热处理方法_6f u;hl
163   CN200610043184.5    单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法
$m8J/dU,Mo 164   CN200610043185.X    单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法
5n1c6s&K[(V 165   CN200510027829.1    一种太阳能级硅单晶用料配方及制备] foCYZ
166   CN200610058255.9    高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片
9Io Z/Z e+i!o#n(]7? 167   CN200610106431.1    掺杂单晶硅硅化电熔丝及其形成方法U3H'vlpH9_)q*E
168   CN200610043186.4    单晶硅拉制炉用热场炭/炭坩埚的制备方法4d,j w^xCQ!V
169   CN200610043187.9    单晶硅拉制炉用热场炭/炭导流筒的制备方法
i5E/G:hw
170   CN200610099146.1    单晶硅锭和硅片、及其生长装置和方法
g*A9U)EJ0mb;nt0g 171   CN200510092880.0    单片单晶硅微机械加工的电容式压力传感器
9uX nb&Jq 172   CN200510092319.2    反射式单晶硅液晶面板以及使用此液晶面板的投影装置W ?T{&U0QF
173   CN200580005839.3    碳化硅(SiC)单晶的制造方法以及通过该方法得到的碳化硅(SiC)单晶a(i4w-JRv@
174   CN200610092779.X    制造硅单晶的方法
kp"it6r~:q)O
175   CN200610003165.X    高质量硅单晶结晶块的生长装置及使用此装置的生长方法
8R
S/Ui:P t ^ 176   CN200610048750.1    一种在单晶硅基底表面直接制备Cr-Si硅化物电阻薄膜的方法"d|)PK
[9B7R;L
177   CN200510094904.6    单晶硅切方机构Q5Ef4}+r
178   CN200580021074.2    100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片 KM5X3A+D%S(M/@6D
179   CN200510111453.2    制作单晶硅太阳电池绒面的方法i7U V`6D
180   CN200510111455.1    单晶硅太阳电池绒面的制备方法Bw*K2{S.L1m?5V
181   CN200580023035.6    碳化硅单晶及其蚀刻方法 ] aN fL1@
182   CN200580024926.3    利用单晶圆腔室沉积纳米晶体硅^e0S{3W-e6P
183   CN200510136041.4    单晶硅制备中稀土镧系基合金吸气剂提纯氩气与氩气回收工艺

^FeV@w 184   CN200510132574.5    一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置6[I{T4xo
185   CN200510132575.X    一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉
v:r~E/[`"w 186   CN200610129891.6    <110>无位错硅单晶的制造方法
Uw*YU-V\.v)x`,A 187   CN200610149906.5    生产单晶硅的方法
}i:HA:V I%\Z 188   CN200610155897.0    低硅高钙单晶体电熔镁砂熔炼方法qhH
oo7oIV
189   CN200610013089.0    供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片$`T
tSy{ K,~9A%H
190   CN200580028656.3    硅片及其制造方法，以及硅单晶的培育方法
{XJj[ 191   CN200610105330.2    单晶炉中籽晶与熔融硅液面接触的检测方法
yI+Co&H 192   CN200610105331.7    基于霍夫变换的直拉单晶硅棒直径的测量方法#O
q\OK
193   CN200610105332.1    直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法z@m4Gc/V
194   CN200710037043.7    在单晶硅片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法u7S5`n+Z/d ^5[
195   CN200610155648.1    直拉法生长硅单晶产生的锅底料的除杂方法
`3ee.XE1`8M w.Z1NR 196   CN200610119211.2    一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法
anW`8D |,FG 197   CN200710036554.7    利用纳米硅丝做模板合成单晶β-Si3N4纳米线的方法
7CwK/m~OA t7UOJ 198   CN200580032490.2    用于大碳化硅单晶的高品质生长的籽晶和籽晶夹持器组合
G!IP,KQX 199   CN200710037045.6    单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法
]Yy/d4J'[b:c1J 200   CN200610156605.5    用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片
ItY&W6rgpeFeV 201   CN200710015419.4    彩色碳硅石单晶及其制备方法与人造宝石的制备
(xG+]$foFK5~0[ 202   CN200710084192.9    IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法 l[5AF bM
203   CN200710017915.3    单晶硅拉制炉用炭/炭保温罩的制备方法,O;Y??o&bz@{J^
204   CN200610026249.5    利用微影区域迭对测量仪监控硅单晶外延层层错状况的方法'v;S9`bxzD
205   CN200610080114.7    反射式单晶硅液晶面板%Q$W*p `8l8o8GJ
206   CN200610046542.8    硅单晶锭X射线定向仪
NU0C}F/U5z/H,Lo 207   CN200710079489.6    用于制造单晶或多晶材料、尤其是多晶硅的装置和方法,s^o7O+e(^ PnI
208   CN200580006256.2    用于单晶硅连续生长的系统
yKM0FE5z? 209   CN200710040549.3    单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机&M4^/f:\/aa9G2Jc
210   CN200710023967.1    一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽Z'V*WU-["Xk Y:s'kT
211   CN200610028783.X    形成纳米单晶硅的方法和非挥发性半导体存储器制造方法
'kT4g0p)k qeJL 212   CN200610029378.X    单晶硅切割废液的处理回收方法
:~!@W+_B;jUA2l T 213   CN200680004816.5    碳化硅单晶的制造方法l^r O7[0k,j)|
214   CN200710113772.6    一种低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法%\;_-EcE.D"QDa
215   CN200710106433.5    单晶硅的培育工艺中溶液的液面位置监视装置mP(r{OQ.m$e
216   CN200810101680.0    单晶硅横向微型MEMS皮拉尼计及其制备方法k8N-K xPk3[I
217   CN200810060641.0    一种低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺
M/PQ&KQ8UkS%^KO 218   CN200810083479.4    单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池
K$VPrc3J8Ft 219   CN200810023591.9    单晶硅或炭基单晶硅电极电解氧化处理有机化工污水方法6z6kY$F z;VCr
220   CN200810011318.4    单晶硅片水基清洗剂e?SMo kQ:EZ
221   CN03244621.7    绝缘层上覆硅单晶芯片结构
zrru a
SMy{ 222   CN03246541.6    硅绝缘体单晶芯片结构
|*j@+dR 223   CN03246542.4    硅绝缘体单晶芯片结构
W~^A:e0SHY(b(t 224   CN03231427.2    双面光照单晶硅太阳电池-abxY,o"U]
H
225   CN200320103212.X    用于减少硅单晶棒截断崩边的工具
5E.~-s~9ym
Ix 226   CN200420079639.5    硅单晶炉热系统装置
2J{;_3M,IDK 227   CN200320101920.X    用于检查硅单晶棒上的切口位置的工具 k(v2oES ?[
228   CN200520076510.3    单晶硅切方装置
,BO2f;Gz? 229   CN200520092740.9    硅单晶锭X射线定向仪
_4Y+|9U4k 230   CN200520113172.6    反射式单晶硅液晶面板以及使用此液晶面板的投影装置g/@m
rPs"o:OtF
231   CN200620025965.7    区熔硅单晶炉电气控制装置
^Qs9fw 232   CN200620002303.8    单晶硅棒切方滚磨机床 Wz%D1TvA,R
233   CN200620003851.2    直拉法单晶硅生产用石英坩埚
.E!jhM-o 234   CN200520110444.7    单晶硅棒切方滚磨机床
}-b!BvS6MW 235   CN200520043749.0    N型基体单晶硅太阳电池
3FC:i6LW`.R4i7i*{ 236   CN200520146921.5    一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉
"b*uj,A
Qy-SO 237   CN200520129467.2    太阳能硅单晶炉的冷却水系统
$yscP4J;\H6y#l 238   CN200520129466.8    太阳能硅单晶炉的组合铜排b.O;?9Zs$VW1K/I
239   CN200620117810.6    区熔单晶硅炉_Z1B\I~.^
240   CN200620117812.5    区熔单晶硅生长炉
!L5}h;@*^c!f 241   CN200620117926.X    单晶硅炉控制装置;M*b6JgK8qN0D0F
242   CN200620117811.0    软轴单晶硅炉 VGD]Y:W kQY;v
243   CN200620047100.0    丝网印刷铝背发射结N型单晶硅太阳电池Mz5Z-d_,}H6cXIY
244   CN200620149156.7    从不规则硅块钻取硅单晶棒的工具y4w oPo|*J
245   CN200620116090.1    用于硅单晶炉的坩埚轴传动部件:U(y1L.l7}$}.zS:F.Q+N
246   CN200620134195.X    一种用于直拉单晶硅制备中的掺杂装置g~`d&{N\
[url=http://www.99pat.com/][b]专利技术光盘网[/b][/url]（[url=http://www.99pat.com/]www.99pat.com[/url]）向您推荐15万张[b][url=http://www.99pat.com/]专利技术光盘[/url][/b]，国家[url=http://www.99pat.com/][b]专利[/b][/url]全文说明书。含技术配方、)m,\(_8M1e-V*s
加工工艺、质量标准、专利发明人、权利要求书、说明书附图等全面翔实，货真价实，量大从优。本部郑
Pl7qn&}+H 重承诺，凡本部所提供的[url=http://www.99pat.com/][b]专利技术[/b][/url]光盘，均假一赔十。详情请登陆：[url=http://www.99pat.com/]www.99pat.com[/url],电话：0431-
n*^Y N3?X 86189079，联系人：范庆韬。

查看完整版本: 用PS给迈克.杰克逊的CD做封面